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    ·出現(xiàn)沸騰表面、起泡表面或易生成泡沫液面時，使用FMR53或FMR54測量。根據(jù)泡沫的具體成份，泡沫可以吸收微波，或微波在泡沫表面發(fā)生發(fā)射。在特定條件下，測量仍可進(jìn)行。使用FMR50、FMR51和FMR52測量時，建議選擇附加選項“動態(tài)響應(yīng)”(訂購選項540:“應(yīng)用軟件包”，選型代號:EM)。

　　·出現(xiàn)嚴(yán)重蒸汽或冷凝現(xiàn)象時，E+H雷達(dá)物位計FMR50、FMR51和FMR52的大測量范圍可能會減小，取決于蒸汽的密度、溫度和成份>請使用FMR53或FMR54測量。

　　·測量吸附性氣體時，例如:氨氣NH3或某些碳?xì)浠衔?)，請在導(dǎo)波管中使用Levelflex或Micropilot FMR54測量。

　　·波束射至罐底的位置即為量程起點(diǎn)。特別是在圓盤底罐或帶錐形出料口的罐體中，物位低于此點(diǎn)，便無法測量。

　　·在導(dǎo)波管中測量時，電磁波不會*擴(kuò)散至導(dǎo)波管外部，應(yīng)將零點(diǎn)設(shè)置在導(dǎo)波管底部。在C范圍內(nèi)測量時，測量精度將降低。為了確保此類應(yīng)用場合中所需的測量精度，建議將零點(diǎn)設(shè)置在導(dǎo)波管底部上方的C。

　　·測量低介電常數(shù)的介質(zhì)時(e,=1...4)3)，如果介質(zhì)處于較低物位(低于C),罐底可見。在此范圍內(nèi)測量時，精度將降低。如無法接受，在此類應(yīng)用場合中，建議將零點(diǎn)設(shè)置在罐底上方的C。

　　·理論上，E+H雷達(dá)物位計大可測量至FMR51、FMR53和FMR54天線末端。但是，考慮腐蝕和粘附的影響，大量程與天線末端間的距離不得小于A。

　　·使用帶平面天線的FMR54測量時，特別是測量低介電常數(shù)的介質(zhì)時，大量程與法蘭間的距離不得小A:1 m(3.28 ft)。

　　小測量范圍B取決于天線類型。.罐體高度應(yīng)至少為H(參考下表)。